韩国宣布五年内DRAM产能翻倍，全球内存市场预计增长四倍

韩国政府宣布大规模半导体投资计划，拟在西南部投资约800万亿韩元建设四座芯片工厂，目标五年内将DRAM生产能力翻倍，并预计全球内存市场将在同期增长四倍。该计划由三星电子与SK海力士各承建两座晶圆厂，未来15年还将投入至少30万亿韩元用于新一代存储芯片研发。三星与SK共同宣布未来十年总投资额有望超过1000万亿韩元，同时计划在2035年前于AI数据中心领域投入逾1000万亿韩元。

更多精彩内容,请关注亿恩网微信公众号: (ENECNEWS

扫码关注二维码

) 每天为您推送最新,最热干货!
声明:亿恩网原创稿件，未经授权不得以任何方式转发。转载请联系:yujie@enec.net